復旦大學研發出新技術：相同工藝節點下，可實現器件集成密度翻倍

12月11日消息，據復旦大學微電子學院官方消息，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術。相關成果已經發表於《自然 — 電子學》雜誌上。

簡單來說，研究人員創新地設計出了一種晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，可以在相同的工藝節點下，實現器件集成密度翻倍，從而獲得卓越的電學性能。

▲ 硅基二維疊層晶體管的概念、晶圓級製造與器件結構 （圖源：復旦大學官網）

官方表示，極紫外光刻設備複雜，在現有技術節點下能夠大幅提升集成密度的三維疊層互補晶體管 (CFET) 技術價值凸顯，但全硅基 CFET 的工藝複雜度高且性能在複雜工藝環境下退化嚴重。

據介紹，這種硅基二維互補疊層晶體管利用成熟的後端工藝將新型二維材料集成在硅基芯片上，並利用兩者高度匹配的物理特性實現 4 英寸大規模三維異質集成互補場效應晶體管。

這種技術可以實現了晶圓級異質 CFET 技術。相比於硅材料，二維原子晶體的單原子層厚度使其在小尺寸器件中具有優越的短溝道控制能力。該技術將進一步提升芯片的集成密度，滿足高算力處理器，高密度存儲器及人工智能等應用的發展需求。

編輯：芯智訊-林子 來源：復旦大學微電子學院