想想上世紀五六十年代，那時候中國剛起步，半導體技術就成了國家重頭戲。1956年，國家規劃里就把半導體列為緊急任務，科研人從基礎材料抓起，第一隻晶體三極管很快就出來了。
接着鍺晶體管、硅平面晶體管一個個攻克，這些東西直接用在國防設備上。光刻工藝那時已初見雛形，大家靠自製工具，摸索圖案轉移的方法。
1965年，中科院和上海電子儀器廠聯手搞出65型接觸式光刻機，雖然比美國晚幾年，但性能沒落下太多。
團隊用國產零件，調光學精度，上百次實驗才定型。這台機器幫着小批量產芯片，積累了不少實戰經驗。大家那時勁頭足，覺得自力更生就能追上世界。
七十年代初，中國光刻技術已有一定基礎，但產業規模小，技術升級速度較慢。國外已轉向接近式光刻技術，我們還停留在接觸式階段。
1977 年，江蘇吳縣召開光刻機技術座談會，幾十家相關單位的代表齊聚一堂，探討如何縮短與國際的差距。
會議制定了技術發展計劃，明確要加強技術情報收集、優化光刻機光源等方向。參會人員散會後幹勁更足，1978 年美國推出分步投影機，中國科研團隊雖然底子薄，也迅速啟動逆向研究工作。
1985 年，中電科 45 所成功研製出分步投影光刻機，精度與同期美國產品相當，但研製時間晚了七年。科研人員優化投影系統，反覆測試曝光均勻性，付出了大量心血。
那時 ASML 剛成立不久，台積電還未崛起。中國原本有機會依靠集中力量辦大事的優勢追趕前沿，可惜後來發展路徑出現了調整。
八十年代，國際形勢發生變化，中美 1979 年建交後，美國表示可以向中國出售部分高科技設備。
當時中國經濟建設資金緊張，自主研發過程耗時費力，引進國外設備的想法逐漸興起。光刻機是結構複雜的多學科交叉設備，直接購買現成產品看似更省事。
這種思路影響下，不少科研項目調整了研發節奏。
運 - 10 飛機 1980 年完成首飛後累計飛行上百次，1985 年相關研製工作暫停，轉而開展與麥道公司的合作項目。國防科研領域部分項目進行了調整優化，一些處於研發階段的項目暫緩推進。
半導體領域也受到影響，光刻機研發資金投入減少，技術迭代節奏放緩。而同期 ASML 整合歐美供應鏈快速發展，中國與國際先進水平的差距逐漸拉開。
八十年代末，中國引進了一批國外光刻機，生產線在短期內建成投產，但本土自主研發的動力也隨之減弱。科研人才隊伍出現分流，半導體產業鏈條的自主化進程受到影響。
到九十年代，技術差距愈發明顯，ASML 逐漸壟斷高端光刻機市場，台積電成長為芯片製造巨頭。中國在追趕過程中遭遇技術封鎖，相關零部件進口受限。
重新啟動自主研發後，進度相對緩慢。早期積累的技術優勢有所流失，許多領域不得不從頭摸索。依賴進口的傾向，也在一定程度上制約了自主創新的良性循環。
進入新世紀，國家啟動專項計劃投入資金重建半導體自主研發體系，但起點與國際先進水平已有較大差距。
此時 ASML 的 EUV 光刻機已佔據技術高地，中國光刻機技術還停留在傳統技術節點。
部分領域的設備採購仍傾向於進口。2010 年後，國際技術管制趨嚴，中國加快推進半導體自主產業鏈建設。光刻機技術的滯後，導致芯片產業發展面臨諸多制約。
「造不如買」 的觀念，在一定程度上制約了產業發展的潛力，要知道在早期自力更生階段，中國與國際的技術差距原本相對較小，後期因過度依賴引進，才被逐漸拉開差距。
這段歷史時刻警醒我們，核心技術必須牢牢掌握在自己手中。
