1台30億的ASML最新High-NA EUV光刻機全球僅賣5台！
這家曾壟斷全球高端光刻機的巨頭，正遭遇史上最嚴峻的市場滑鐵盧。
中國中科院團隊的EUV光源效率突破3.42%，繞開專利封鎖直逼商用門檻。
半導體產業百年迎來未有之大變局，接下來到底誰能說了算？
ASML的困境與行業變局
2025年第一季度財報顯示，受 2025 年 Q1 訂單不及預期影響，ASML 股價單日市值縮水約 1319 億人民幣（183 億美元），一年內市值蒸發逾 9365 億人民幣（1300 億美元）。
這一數據背後是其寄予厚望的High-NA EUV光刻機遭遇的市場滑鐵盧，全球僅交付5台，單價4億美元的設備淪為「展品」。
這台重達180噸、需七架波音747貨機運輸的「超級機器」，原計劃成為3nm以下製程的「剛需」。但台積電、三星等核心客戶的態度轉變，徹底打亂了ASML的節奏。
台積電聯席副首席運營官張凱文在歐洲技術研討會上直言：「A14（1.4nm）工藝無需High-NA設備，現有EUV光刻機通過技術革新即可實現性能突破。」
繞開設備依賴的路徑創新
台積電的底氣源於其第二代納米片環柵晶體管（Nanosheet GAA）技術。
通過重構晶體管架構，A14工藝在相同功率下性能提升15%，或在相同頻率下功耗降低25%-30%。這種「硬件架構創新替代設備依賴」的策略，使台積電避免了400億美元的設備替換成本。
更關鍵的是台積電的技術突破具有可持續性！
研發團隊通過優化標準單元設計，將現有EUV光刻機的壽命延長至2030年後，「漸進式升級」模式與ASML「一代設備綁定一代工藝」的商業模式，形成直接衝突。
從實驗室到產業化的跨越
在ASML陷入困局的同時中國科研團隊正悄然改寫規則。
中科院上海光機所林楠團隊研發的固體激光器驅動LPP-EUV光源，能量轉換效率達3.42%，超越歐美同類技術。
產業化進程同樣加速，中芯國際、北方華創等企業已與上海光機所建立聯合實驗室，啟動光源-物鏡-工件台全鏈條研發。
據測算國產EUV光源若實現量產，可使7nm製程良率提升18%，單位成本下降22%。這種「技術突圍+產業鏈協同」的模式，正在重塑全球半導體設備競爭格局。
技術迭代與地緣博弈
ASML的困境折射出半導體行業的深層變革。
一方面，摩爾定律放緩促使晶圓廠轉向「工藝優化優先」策略，High-NA設備的投資回報率被重新評估；另一方面，地緣政治加速了技術自主化進程，中國在EUV光源、光學元件等領域的突破，正打破ASML的壟斷。
英特爾利用 ASML High-NA EUV 光刻機在單季生產 3 萬片晶圓，其 18A 製程早期數據顯示設備可靠性提升至前代兩倍，但良品率目前僅 20%-30%，量產計劃面臨挑戰。
後者則堅持「工藝創新+設備延壽」，在A14節點實現性能超越。這種差異化競爭，預示着半導體製造將進入「多元技術路線並存」的新階段。
技術瓶頸與產業化鴻溝
儘管國產EUV光源取得突破但產業化之路仍充滿挑戰。
ASML的EUV光刻機涉及超10萬個零部件，其錫滴噴射系統需實現每秒5萬顆20微米液滴的精準控制，雙脈衝激光同步精度達納秒級。
上海光機所雖已建立實驗平台，但整機集成、穩定性驗證等環節仍需3-5年。
與此同時ASML並未坐以待斃。其計劃2025年出貨5台High-NA設備，並啟動超數值孔徑EUV研發，試圖通過技術代差重新確立優勢。
但市場對其4億美元單價的質疑聲浪，以及中國技術突破的持續施壓，使其面臨前所未有的戰略壓力。
時代的轉折點
從台積電的技術突圍到國產EUV光源的突破，半導體行業正經歷一場靜悄悄的革命。
ASML的困境並非偶然，而是技術迭代、市場博弈與地緣政治共同作用的結果。
當國產光刻機從實驗室走向產線，當工藝創新替代設備依賴成為主流，一個由技術自主驅動的新時代正在來臨。
正如外媒所言：「ASML的統治或許尚未終結，但半導體行業的遊戲規則，已經永遠改變了。」
信源：
《ASML 2025 年第一季度財報》ASML Holding N.V.（荷蘭阿斯麥公司）
《SEMI 2025 年第一季度半導體製造監測（SMM）報告》國際半導體產業協會（SEMI）
《台積電歐洲技術研討會紀要》台積電（TSMC）
《台積電重申 1.4nm 工藝無需 High-NA EUV》太平洋科技（PConline）
《固體脈衝激光驅動等離子體 EUV 光源技術突破》中國科學院上海光學精密機械研究所
《國產 EUV 光源技術突破的產業影響》鈦媒體 APP
《ASML 2025 年 Q1 股價與財務數據》新浪財經
《中國製造 2025 半導體專項規劃》中華人民共和國工業和信息化部
文編輯: 珞翎
