三星已經開始使用其3nm工藝節點大規模生產芯片 ，這是其最先進的芯片生產技術，允許較小的芯片封裝更多的功率。
三星周四表示，它已經開始使用其3納米（nm）工藝節點大規模生產芯片，這是其迄今為止用於合同芯片生產的最先進的技術。
這家韓國科技巨頭表示，與5nm工藝相比，其3nm工藝將功耗降低了45%，性能提高了23%，表面積減少了16%。
三星的3nm工藝節點使用其柵極全能（GAA）晶體管架構，該公司稱為多橋通道FET（MBCFET），它將更寬的通道封裝在柵極中，以便電流流動，同時與以前的FinFET晶體管架構相比降低了電壓水平。
正如GAA這個名字所暗示的那樣，通道完全被柵極包圍，並且與僅使用三側的FinFET相比，利用通道的所有四個側面允許更多的驅動電流通過柵極。
這家韓國科技巨頭還吹捧其3nm工藝節點提供了靈活的設計，使其能夠調整通道寬度以最好地滿足客戶的需求。三星表示，後續的第二代3nm工藝節點也在開發中，其功耗，性能和表面積得到了改善。
三星表示，目前通過其第一個3nm工藝節點製造的芯片用於高性能，低功耗計算應用，同時計劃將該節點擴展到移動處理器。這家韓國科技巨頭沒有提到它目前正在為哪個客戶批量生產3nm芯片。
三星是世界上最大的內存芯片製造商和第二大合同芯片製造商或代工廠。它正在與世界上最大的代工廠台灣積體電路製造股份有限公司（TSMC）競爭，該公司正準備使用自己的3nm工藝節點開始批量生產，首先將更先進的工藝節點商業化。
這對「情侶」之間相愛相殺的關鍵是如何為各自的3nm芯片贏得更多其他客戶訂單，而不是來自高通等大客戶的更多訂單。
上個月，三星宣布計劃在未來五年內花費3550億美元用於所謂的戰略業務，其中包括半導體。去年，該公司宣布將斥資170億美元在德克薩斯州泰勒建造一家新的芯片工廠。
