本文由半導體產業縱橫（id：icviews）綜合
傳統通用型dram和服務器高價值dram量價齊升雙重驅動，2025年dram市場有望創新高。
根據cfm最新報告顯示，2025年年初至今，nand flash市場綜合價格指數上漲9.2%，dram市場綜合價格指數上漲47.7%。其中，6月nand flash市場綜合價格指數上漲0.8%，dram市場綜合價格指數上漲19.5%。
以ddr4/lpddr4x為代表的傳統dram產品，從2024年下半年供應過剩到2025年上半年供不應求的劇烈反轉，對服務器和消費類終端造成較大衝擊。在ai驅動的內存升級浪潮、原廠保利潤的供應策略與下游長尾剛性需求的疊加作用下，傳統通用型dram和服務器高價值dram量價齊升雙重驅動，預計將推動2025年dram市場創下歷史新高。
美光dram相關業績情況
根據美光公布的截至2025年5月29日的fy2025q3財季業績，營收93億美元，同比增長37%，凈利潤21.81億美元，同比增長210.7%。這一業績得益於dram業務營收創歷史新高，其中hbm營收環比增長近50%；數據中心營收同比增長逾一倍；面向消費者的終端市場也實現了強勁的環比增長。
其中，dram在本季度收入70.71億美元，佔總收入的76%，環比增長15.5%。dram bit出貨量環比增長超20%，dram asp環比下降低個位數百分比（1%-3%）。
在技術進展方面，美光1-gamma dram技術節點良率提升速度甚至超過了此前1-beta節點創下的紀錄，此外還完成了基於1-gamma的lpddr5 dram首批認證樣品的出貨。
美光1-gamma dram採用極紫外光刻（euv）技術，相比1-beta節點可實現位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光的尖端dram節點（例如 1 beta 和 1 gamma）專註於最新一代產品，例如 ddr5、lpddr5 和 hbm，而ddr4和lpddr4主要採用1-alpha dram 節點生產。
sk海力士dram相關業績情況
根據sk海力士2025年第一季度財報，公司營收達17.64萬億韓元，同比增長42%，營業利潤7.44萬億韓元，同比增長158%。其中，dram業務營收環比實現高個位數增長，平均銷售價格（asp）持平。sk海力士在財報電話會議上表示，總銷售額中有80%來自dram。sk海力士一季度總銷售額為17.6391萬億韓元，其中約有14.1112萬億韓元來自dram。
根據counterpoint報告顯示，在sk海力士dram總出貨量中，hbm的佔比僅為14%，但其在銷售額和營業利潤中的佔比分別達到了44%和54%。sk海力士通過hbm實現了約6.2089萬億韓元的銷售額。
值得一提的是，counterpoint數據表明，今年一季度sk海力士以36%的市場份額，在dram營收上首次超越三星，成為行業新“老大”，這是四十多年來首次改寫市場格局。
三星dram相關業績情況
根據三星電子2025年第一季度財報，公司營收達79.1萬億韓元，創歷史新高。其中，存儲營收為19.1萬億韓元，環比減少17%，同比增長9%；存儲業務所在的ds部門q1經營利潤為1.1萬億韓元，環比減少62%，同比減少42%。
最新消息稱，目前三星電子已完成d1c dram的開發，預計該款產品將很快投入量產，並將成為第六代高帶寬存儲器hbm4的基礎，hbm4計劃於今年下半年實現量產。
d1c dram是10納米早期工藝的產品。自去年全永鉉副董事長就任ds部門負責人以來，三星電子開始檢驗dram的競爭力並改進整體設計。據悉，為了提高良率，三星電子還採用了“乾式光刻膠”等新材料和技術。三星電子預計將通過逐步提高d1c的生產比例，同時降低上一代產品的比例來確保穩定的量產良率。通常，量產轉移後的初期良率約為50%，而達到80-90%的穩定良率大約需要6個月的時間。
三星電子已制定計劃在韓國華城工廠建設1c dram生產線，預計該項投資最早將於今年年底完成。此前，三星電子在平澤第四園區（p4）建設第一條1c dram量產線，規劃產能為每月3萬片。
根據trendforce最新的內存現貨價格趨勢報告，dram方面，16gb ddr4消費級dram芯片現貨價格持續上漲，而8gb ddr4等pc級dram芯片則出現小幅回調。nand flash方面，隨着供應商產能資源逐步釋放，加之中國國家補貼政策效應減弱，導致現貨市場低迷。具體情況如下：
dram現貨價格
雖然現貨價格在過去一周開始略有下降，但這主要反映了此前ddr4芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16gb ddr4消費級dram芯片的現貨價格持續上漲，而8gb ddr4等pc dram芯片的現貨價格則出現小幅回落。trendforce預計，短期內現貨價格將基本保持穩定。主流芯片（例如ddr4 1gx8 3200mt/s）的平均現貨價格從上周的5.153美元下跌至本周的5.073美元，跌幅為1.55%。
由於主流dram製造商轉向生產新一代ddr5和lpddr5x產品，並將於2025年底前大幅削減ddr4和lpddr4的產量，這導致近期成熟製程dram價格上漲明顯。 ddr4和lpddr4被視為成熟製程產品。
回溯ddr4的漲價歷史，由於存儲原廠開始停產ddr4，5月中下旬ddr4報價逐步上漲，但彼時其價格仍低於ddr5；6月上旬開始出現倒掛，ddr4現貨價超過ddr5，而兩周之後的現在，ddr4現貨價格較ddr5高出一倍，價格飆漲速度可見一斑。
在今年一季度最後一個交易日，ddr4 16gb（1gx16）3200現貨均價為3.95美元，不到一個季度即飆漲兩倍；ddr4 8gb（1gx8）3200則從1.63美元大漲至6月23日的5.2美元，漲幅則接近2.2倍。
上文提到的價格均為現貨價格，而在業內人士看來，現貨漲價後，ddr4合約價格也有望水漲船高。
存儲模組公司威剛近日表示，公司訂單需求旺盛，客戶“下大單排隊等出貨”，工廠已經連續5個月加班生產，現階段訂單能見度已至9月。其強調，當前上游原廠對dram與nand flash價格態度仍相當強勢，特別是已規劃逐步停產的ddr4，在下游提前備貨的強大需求下，第三季度合約價漲勢已喊出30%-40%的幅度。
nand閃存現貨價格
目前現貨市場成交低迷。現貨價格通常反映市場走勢，早於合約價上漲，因此現貨價格普遍高於合約價。隨着供應商產能資源逐步釋放，加之中國國家補貼效應減弱，現貨市場成交低迷，整體成交量明顯萎縮。本周512gb tlc晶圓現貨價格下跌0.11%，報2.680美元。
過去幾年，nand 供過於求，需求年增率從 30% 下降到 10%-15%。但 ai 技術的迅猛發展，正在成為新的增長引擎。
自 chatgpt、aigc 等 ai 應用爆火後，對算力和存儲的需求呈現出指數級增長。機構預測，到 2025 年，全球企業級 ssd 的 bit 需求量至少增長 30%。
面對這一輪供應緊張、需求回暖的市場行情，其他廠商也紛紛跟進漲價。比如，閃迪（sandisk）早在 3 月 6 日就宣布，自 4 月 1 日起，全渠道存儲產品漲價超過 10%，並且還計劃實施季度性動態調價。官方給出的理由是供需失衡和國際關稅壓力。
整個 nand 市場的漲價潮已經愈演愈烈，但這波價格反彈能否持續，還得看終端市場的接受程度。如果 nand 價格上漲過快，可能會讓消費者更加謹慎，進一步壓制需求。此外，ai 終端產品，比如 ai pc、ai 眼鏡、ai 耳機等，目前還處於起步階段，是否能引發大規模換機潮，仍然存疑。
比如在手機市場，據cfm閃存市場數據顯示，預計2025年手機nand平均容量達到224gb，dram平均容量超過8gb。nand方面，搭載emmc和ufs2.2的中低端機型仍然是出貨主力，128gb及以下的emmc/ufs2.2的供應以存儲品牌模組廠商和國產廠商居多，256gb起步的高端機型更多地集中應用三星、sk海力士等原廠的ufs4.0/4.1。而隨着原廠nand製程升級，低容量nand flash產出減少，1tb nand flash wafer供應增加。同時，由於高端旗艦機型佔比提升有限，ufs4.0/4.1整體供應充足。因此，反映在手機終端應用的嵌入式nand產品上，呈現低容量嵌入式nand供應整體趨於緊平衡，而256gb及以上ufs4.0供應充足價格壓力較大。不過原廠出於堅定保利潤的角度，對於嵌入式nand價格讓步空間預計將十分有限。
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