SK海力士宣布2026年量產HBM4，為下一代AI GPU做好準備

HBM產品被認為是人工智能（AI）計算的支柱之一，近兩年行業發展迅速。在人工智能和高性能計算的影響下，HBM市場帶給了存儲器廠商新的希望，以推動收入的巨大增長。作為英偉達高帶寬存儲器合作夥伴，SK海力士目前在HBM市場的處於領導地位。

據Business Korea報道，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024的主題演講中表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。

HBM類產品前後經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計，採用2048位接口，而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出後最大的變化。

目前單個HBM3E堆棧的數據傳輸速率為9.6GT/s，理論峰值帶寬為1.2TB/s，而由六個堆棧組成的內存子系統的帶寬則高達7.2TB/s。出於於可靠性和功耗方面的考慮，一般速度不會達到最高的理論帶寬，像H200的峰值帶寬為4.8TB/s。按照美光之前的說法，單個HBM3E堆棧的峰值帶寬將提高到1.5TB/s。由於2048位接口需要在集成電路上進行非常複雜的布線，預計成本也會高於HBM3和HBM3E。

HBM4在堆棧的層數上也有所變化，除了首批的12層垂直堆疊，預計2027年存儲器廠商還會帶來16層垂直堆疊。此外，HBM還會往更為定製化的方向發展，不僅排列在SoC主芯片旁邊，部分還會轉向堆棧在SoC主芯片之上。