韓國研究人員開發出脈衝功率電源領域高壓半導體元件

據韓聯社10月27日報道，韓國國家科學技術研究會（NST）研究人員10月27日表示：他們開發了脈衝功率電源領域高壓開關用1400伏、2500伏級硅MCT半導體技術。

圖片來自：韓聯社

脈衝功率電源是一種用低功率儲存電能，然後在很短的時間內用高功率釋放電能的技術。控制脈衝功率電源電流的裝置是高電壓開關，作為電力半導體元件的一種，MCT電力半導體是高電壓開關的核心部件，但此前1400 V級以上的產品韓國還無法自主生產。本次的研究團隊開發了1400 V級、2500 V級MCT電力半導體，首次實現了韓國國產化。研究組聲稱：他們開發的MCT電力半導體最多分別能承受1600伏和3000伏以上的高電壓。

研究團隊負責人聲稱：“這一成果不僅可以用於尖端領域，還可以用於民需領域的各種電力部件開發。”

（編譯：史天陽）