據台媒報道，上周五，中國台灣台中地院就聯電被控協助福建晉華以竊取美商科技大廠美光（Micron）動態隨機存取存儲器（DRAM）生產技術案做出判決，涉案戎某、何某和王某3人分別被判以4年半~6年半不等的有期徒刑。而聯電公司則被判罰新台幣1億元（合人民幣2390萬元）。這一案件的“導火索”是聯電與福建晉華合作開發32nm DRAM技術，3名中國台灣美光高管隨機轉任聯電引發商業間諜疑雲。最終導致美光、聯電與福建晉華之間在美國、中國大陸和台灣地區的司法訴訟。
對於此次判決，聯電發表措辭明確聲明，其技術是根據自有技術基礎開展研發，可以出具完整的研發記錄來證明：
本次DRAM製程技術之研發，乃台灣投審會事先核准之專案，並為聯電以自有技術為出發點，由三百多位工程師組成的研發團隊(其中多數為聯電經驗豐富的研發人員)通力合作，耗時超過二年自主開發DRAM製程，且保留相關研發紀錄，期盼經此過程訓練的DRAM研發人才與研髮結果能根留台灣。除了工程師們的努力之外，聯電多年累積的研發經驗及傳承，更是驅動開發的中流砥柱。
而美光方面的聲明則含糊其辭，只是聲稱技術是美光過去四十年在台灣長期耕耘的結果：
美光於過去四十多年已投入數十億美元持續開發業界領先的先進技術，且在中國台灣長期耕耘製程開發與技術創新，數千名中國台灣同仁於此過程中，共同參與研發公司之智慧財產。美光營業秘密在中國台灣被竊用，甚至違法輸出。
其實從各自的聲明我們可以看出，聯電的技術細節是否竊密美光，需要詳細研判才能做出裁定，畢竟美光的技術也是源自台灣，而聯電的技術是否直接來自美光的技術並不能因為聯電挖了三名前美光的台灣高官就做出結論。美光的真實目的是向通過專利訴訟打擊台灣產業界和大陸廠商的合作，起到殺雞儆猴的效果。
而台灣法院的判決，很可能屈服於美國壓力而對台灣本土產業界施加毒手，也是被逼無奈之舉。聯電在聲明中強調，把台灣技術的根留在台灣，希望能夠對法院的判決打本土產業牌，但法院很顯然並不為所動。聯電聲明中也表示，聯電決心會繼續上訴。
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