晶圓代工成熟製程產能鬆動; DRAM前景依舊弱,美光南亞科都被看衰


今日熱點

1. DRAM還未見底?南亞科再遭資本市場劣評

2. PC、服務器採購量季減3成多,美光大摩唱衰

3.長江存儲推出企業級PCIe 4.0 NVMe固態硬盤PE310系列

4. 車用及工業市場助攻,台廠NOR Flash價格維穩

5. 30+TB!希捷下一代HAMR機械硬盤2023年出貨

6. 晶圓代工成熟製程產能鬆動,降價潮來襲

7. 要去印度設廠?傳台積電、聯電將赴印考察

8. 死磕台灣非存儲芯片市場,韓既給優惠又給人才

01

DRAM還未見底?南亞科在遭資本市場劣評

據台媒《財經新報》報道,美系投資機構出具最新報告指出,雲計算半導體的需求正在惡化,加上預期的價格侵蝕現象,美光的競爭對手在第三季超大規模DRAM 報價下降20%以上,使得DRAM定價環境大幅減弱,因此重申對南亞科「劣於大盤」評級,認為其消費性DRAM價格將進入第三季的下行風險。

美系投資機構表示,由於潛在DRAM價格疲軟,對產業前景持保守態度,將南亞科目標價設在48元,預測今年的投資回報率約10%,低於2021年的14%。

至於上行風險,美系投資機構認為,2023年DRAM價格因更嚴格的供應和更強勁需求,得以維持;今年下半年定價環境有望加強,營收超過預期;1a/1b納米的升級進度快於預期。

下行風險部分,包括1a/1b納米製程的升級速度慢於預期,4K、2K電視和智能機頂盒對於特殊型DRAM(Specialty DRAM)需求減少,以及合肥長鑫存儲產量提高得更快。

02

PC、服務器採購量季減3成多,美光遭大摩唱衰

據台媒MoneyDJ報道,美國存儲大廠美光遭摩根士丹利唱衰,投資評等從「中性權值」調降至「減碼」,拖累整體半導體類股22日走勢。

美光CEO Sanjay Mehrotra 6月30日曾在公布財報時指出,第三季(3-5月)接近季末時,觀察到短期位元需求有大幅下滑跡象,主要是受到消費性市場(包括PC、智能手機)終端行情疲弱影響。他當時說,消費性市場是受到中國消費者支出疲軟、俄烏戰、全球通脹攀升的衝擊。

對此,Barron's、Investing.com報道,大摩分析師Joseph Moore 22日發表報告稱,雖然美光展望偏保守,但行情確實持續惡化,無論是出貨量或報價皆如此。

Moore表示,他耳聞多家美光客戶都對庫存管理採取更加積極的策略,部分PC、服務器製造商本季DRAM採購量季減30%之多,美光對手本周的雲計算用DRAM報價也下挫20%以上。

03

長江存儲推出企業級PCIe 4.0 NVMe固態硬盤PE310系列

7月25日消息,長江存儲推出首款企業級PCIe 4.0 NVMe固態硬盤PE310系列,正式進入高端企業級固態硬盤市場。這一產品標誌着,繼消費級固態硬盤、嵌入式存儲器之後,長江存儲在存儲系統解決方案領域再作重要布局。

有意思的是,2個月前,與長江存儲「192層NAND樣品已交由少數大廠進行驗證,將在年內正式亮相」的消息同步,還傳出其還有「PE310和PE320型號兩款『主控』獲得PCI-SIG驗證」,後被長江存儲澄清,二者並非主控型號,而是SSD產品型號,鬧了一場烏龍。如今,PE310看來坐實是企業級固態硬盤了。

據悉,長江存儲PE310系列基於晶棧®2.0(Xtacking®2.0)技術的第三代三維閃存芯片打造,採用U.2接口,PCIe 4.0, NVMe1.4協議,擁有讀取密集型(1.92TB/3.84TB/7.68TB)和混合應用型(1.6TB/3.2TB/6.4TB)兩種產品設計,具備高性能、高耐用等級、低功耗及多檔位功耗與性能管理等特點,適用於大數據、雲計算、流媒體等場景。

PE310系列據稱擁有以下特點:

  • 強勁穩定的性能

PE310系列固態硬盤的4K隨機讀、寫穩態性能高達1000K IOPS、380K IOPS,其內部智能化調度機制能夠對不同I/O進行及時處理,有效解決I/O擁塞,保證I/O服務質量及性能一致性。

  • 出色的功耗表現

得益於採用了晶棧®2.0技術的三維閃存芯片,PE310系列固態硬盤最大工作功耗為14W(1.92TB產品為12W),能效比領先業界同代產品。內置8級性能-功耗管理機制,提供彈性計算的靈活性,精確且方便客戶針對不同場景進行能耗管理。

  • 安全可靠的數據保護

PE310系列固態硬盤支持LDPC糾錯、全路徑數據保護、增強掉電保護(PLP)、AES自加密、增強安全擦除(Sanitize)等功能,保障數據處於安全可靠的存儲環境。

  • 易用的標準日誌接口

PE310系列固態硬盤支持 Telemetry 標準接口,用戶通過標準nvmecli命令即可輕鬆獲取設備日誌,降低了運維成本,提高了訪問效率。

  • 晶棧®2.0(Xtacking®2.0)

PE310系列固態硬盤採用基於晶棧®2.0技術的第三代三維閃存芯片,穩定優異的顆粒品質能夠支援數據中心和企業服務器7*24的平穩運行。

目前,長江存儲PE310系列固態硬盤已上市。

04

車用及工業市場助攻,台廠NOR Flash價格維穩

據台媒《工商時報》報道,雖然消費性電子銷售動能疲弱並影響芯片生產鏈出貨,但車用及工業等芯片需求維持強勁。存儲廠華邦電及旺宏去年已調整產品線布局,今年全力搶攻車用及工業NOR Flash市場有成,不僅避開消費性市場低迷需求衝擊,平均銷售價格(ASP)維持穩定且未見跌價壓力。

俄烏戰爭及全球通脹導致消費性電子銷售轉弱,消費性芯片生產鏈提前進入庫存修正階段,但包括車用及工業等市場仍面臨芯片供不應求壓力。在NOR Flash市場部份,華邦電及旺宏去年下半年已淡化消費性應用出貨,轉向車用及工業等領域擴大市佔率,所以近期主攻消費性市場的兆易創新有意藉由降價刺激出貨,但對華邦電及旺宏幾乎沒有造成太大影響。

隨着電動車成為未來主流,先進駕駛輔助系統(ADAS滲透率提升,車廠對於高容量、高可靠性、低功耗、安全性具備的NOR Flash需求維持成長趨勢。再者,5G基礎建設及數據中心建設需求維持高檔,多軌道衛星及邊緣物聯網等新應用正在快速起飛。


05

30+TB!希捷下一代HAMR機械硬盤2023年出貨

據WccfTech報道,希捷現已透露其將在2023年年中推出下一代硬盤,採用最新的熱輔助磁記錄(HAMR) 技術,並提供超過30TB的容量。

據報道,希捷HAMR平台將在2023年年中推出30+TB型號,之後將繼續增加至40+TB和50+TB,但後續型號的具體推出時間沒有公布。

希捷CEO David Mosley在希捷最近的財報電話會議上表示,希捷正朝着HAMR技術30+TB HDD系列的發展道路前進,預計將在明年這個時候開始向客戶發貨這些基於HAMR的產品。

報道稱,2023年30TB HAMR HDD將不會大批量發貨,預計僅向數據中心市場的選定客戶發貨。希捷的HAMR技術會改變HDD內存、磁層、讀寫頭、控制器、執行器等其他零件,有人猜測,製造新零件的生產難度更大,而且對客戶來說成本更高。

06

晶圓代工成熟製程產能鬆動,降價潮來襲

據台媒《經濟日報》報道,晶圓代工成熟製程產能鬆動,降價潮來襲。台灣IC設計業者證實,已有中國大陸晶圓代工廠開第一槍,近期降價逾一成,台灣晶圓代工廠為了防堵訂單流失,開始在部分特定製程祭出「優惠價」,折讓約個位數百分比,等於變相降價。

大陸晶圓代工成熟製程指標廠有中芯國際、華虹、晶合、和艦等;台灣以聯電、世界、力積電為主。隨着價格開始下跌,牽動相關業者後續營運。

不具名的IC設計業者透露,旗下不少在中國大陸晶圓代工廠生產的芯片,投片價格已降低,降幅超過一成,預期第4季起相關芯片成本可望降低。

另一家IC設計業者不諱言,業界消息傳很快,大陸晶圓代工廠降價後,台廠也有動作回應,部分製程給予個位數百分比「折讓空間」,藉此降低訂單流向陸廠的風險,此舉等於「變相降價」,但這些都是買賣雙方「私下敲好的約定」,「不會敲鑼打鼓告訴別人」,因為別的客戶若聽到相關訊息,可能誤會是全面降價,引來大肆砍價,所以沒人想承認。

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要去印度設廠?傳台積電、聯電將赴印考察

根據印度當地《印度斯坦時報》的報道,知情人士指出,在印度2021年兩次訪問台灣商討半導體合作後,包括台積電、聯電等台灣產業代表團將在未來幾周,還不確定的時間內訪問印度,將討論在製造電子產品、通信設備、醫療保健系統和機動車所需芯片方面在當地設廠,以及與當地廠商合作的情況。

相關知情人士表示,此次訪問將使得台積電、聯電等台灣半導體致製造商更多的了解印度政府在2021年12月宣布的半導體計劃,該計劃包括已經批准的一項100億美元的刺激獎勵補助計劃,以吸引半導體製造商和顯示器製造商前往投資,以期打造印度成為全球電子產品生產中心的一部分。

08

死磕台灣非存儲芯片市場,韓既給優惠又給人才

韓國政府21日宣布,將增加與半導體產業的研發和相關設施投資稅收優惠,以便使產業公司到2026年投資至少340萬億韓元,還計劃今年開設半導體工程師培訓中心,為10年內提供超過15萬名人才,幫助韓國企業在全球非存儲半導體市佔率從3%提高到10%。到2030年能減少依賴進口材料、零組件和設備,從70%降到50%左右。

據韓媒《BusinessKorea》報道,政府表示半導體產業工廠容積率將從350% 提高到490%,是為了讓平澤和龍仁科技園區工廠無塵室設施,能從12個及9個增加到18個及12個。半導體工廠將能增加總計超過9千個職缺。

適用大型半導體公司的設施投資稅收減免,比例將從6%~10% 提高到8%~12%。9月開始也允許受日本限制出口影響的半導體企業,每周工時限制由52 小時放寬到64小時。

人才培養方面,韓國政府預計自2023年開始,增加半導體研究所數量,由政府提供設備及資金補助。今年開始的30所大學開設非半導體專業學生雙主修課程也會繼續。整體來說,2023~2032年政府和私人單位總計投入3500億韓元,支援大學研究所培養半導體專業人才。

非存儲半導體芯片研發方面,2024~2030年分別在功率和汽車半導體領域,啟動4500億和5000億韓元初步可行性研究。未來7年還將投資1.25萬億韓元研發AI芯片,且花費1.5萬億韓元投資30家有前景的無晶圓IC設計公司。