大家都知道,製造芯片最核心的設備就是光刻機,尤其是7nm及以下製程的芯片,對光刻機精度的要求非常高,目前只有ASML生產的EUV光刻機符合以上要求。
也正是因為如此,包括台積電、三星、英特爾等芯片代工巨頭都向ASML伸出橄欖枝,希望與之加強合作,從而獲得更多的EUV光刻機。
但隨着摩爾定律逼近物理極限,以EUV光刻機主導的先進工藝似乎已經走到了盡頭。也就是說,如果一味追求高性能和低功耗,那麼結果只能是成本飆升,台積電放棄N3工藝轉投N3E工藝就是最好的證明。
那麼問題來了,有什麼辦法可以繞過EUV光刻機也能製造出高性能芯片?答案有很多,比如芯粒技術、光子芯片技術以及芯片堆疊技術。尤其是芯片堆疊技術,蘋果推出的M1 Ultra芯片就是採用了芯片疊加技術,將兩顆M1 Max芯片堆疊在一起,打造出的一款高性能SOC芯片。
除了蘋果之外,為了解決高性能問題,華為也已經在芯片疊加技術方面展開布局,並發布了多項芯片疊加專利,甚至可以讓14nm芯片達到7nm芯片的性能。
讓人沒想到的是,就在10月27日,台積電正式宣布,將成立具有開放和創新的平台——3D Fabric聯盟,目的也很簡單,那就是推動3D半導體發展。
據台積電方面披露的消息顯示,目前已經有19個合作夥伴同意加入3D Fabric聯盟,其中就包括美光、三星記憶體以及SK海力士等芯片巨頭。
台積電方面還表示,這次組建的3D Fabric聯盟將幫助客戶快速實現芯片和系統級的實作。這也意味着,台積電非常看好3D封裝技術的發展前景。
在芯粒技術方面,我國封測巨頭通富微電也已經突破了5nm製程。關鍵是,美芯巨頭超威還給其開出了一份長達5年的合同。也就是說,超威在未來五年內都將依賴芯粒技術生產高性能芯片。
對此,外界一致認為,美企大廠依賴中國芯片技術是西方搞“脫鉤”的代價,也證明了中國芯片技術正在快速崛起。
與此同時,我國首條“多尺寸、跨材料”的光子芯片生產線也已經準備開工建設,預計到2023年在京建成。據悉,無論是計算速度,還是芯片性能,光子芯片都優於電子芯片。
種種跡象都表明,ASML生產的EUV光刻機已經不是製造高端芯片的唯一選擇,而台積電成立3D聯盟也相當於向ASML攤牌了,其一直都在都在努力減少對ASML光刻機技術的依賴。
要知道,ASML主要營收來源就是EUV光刻機和DUV光刻機,而如今EUV光刻機不能正常出貨給華,再加上全球先進芯片產能過剩,甚至連台積電都計劃關閉部分EUV光刻機。很顯然,這些都不是ASML想要看到的情況。
儘管ASML一直都在想辦法獲得自由出貨,但事實上,摩爾定律的極限已經不允許ASML這樣做了。至於ASML會怎麼應對,讓我們拭目以待吧。對此,你們怎麼看?歡迎大家留言點贊分享。
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