傳長江存儲將建新廠，產能或翻倍；南亞科含EUV晶圓新廠動工

今日熱點

1. 傳長江存儲將建新芯片工廠，產能或翻倍

2. 南亞科：DRAM市況比預期差

3. 傳恩智浦關閉中國區APS研發部門

4. 東芝股價大漲，傳基金公司擬溢價近3成併購

5. 長江存儲推出PCIe 4.0固態硬盤PC300，靈活滿足全場景應用需求

6. 南亞科含EUV晶圓新廠動工，采自主10nm級技術生產DRAM

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傳長江存儲將建新芯片工廠，產能或翻倍

據日經亞洲消息，知情人士稱，長江存儲計劃最早於今年年底在武漢開設第二家工廠，此舉或將進一步縮小其與三星、美光等業界領先企業的產能差距。

兩名知情人士表示，長江存儲工廠已接近滿產能，並在2021年底每月生產10萬片晶圓。業界估計，長江存儲去年佔據了近5%的全球市場份額，成為了僅次於三星、SK海力士、鎧俠、西部數據和美光的全球第六大NAND閃存製造商。

據稱，長江存儲約40%的產量為128層3D NAND閃存，其他的出貨產品則是64層產品。若長江存儲2023年和2024年發展順利，新工廠將首先主要生產128層產品，而後轉向更尖端的芯片，如196層或232層3D NAND閃存。

知情人士還表示，蘋果自去年以來一直在測試長江存儲的閃存產品，最早可能在今年下達「限量」的第一筆訂單。與蘋果達成協議將是一個里程碑，為長江存儲芯片品質作一個強力的背書。據悉，長江存儲已將其投資預算從2016年的240億美元增加到今年的328億美元。

該工廠最終產能可能將達到第一期工廠的兩倍，之後的總產可能將達到每月30萬片晶圓，或幫助長江存儲將其全球市場份額擴大至10%以上。

據Counterpoint Research數據，長江存儲在全球閃存市場的份額已從2019年的1.3%迅速上升，2021年長江存儲的市場份額約為4.8%，預計到2023年可以達到近6%。

02

南亞科：DRAM市況比預期差

DRAM大廠南亞科總經理李培瑛近日表示，「近期黑天鵝還滿多的」，導致第3季DRAM市況比預期差，下半年價格恐難逃逐季修正，復蘇最快要等到明年。南亞科是全球第一家證實下半年市況低迷的DRAM大廠。

DRAM是電子產品必備零組件，隨着手機、PC市況不佳，陸續有外資與研調機構看壞下半年DRAM市場，預期價格跌勢難擋，傳統旺季恐報銷，但國際大廠包括三星、SK海力士、美光等都並未表態。

李培瑛昨天釋出「第3季市況比預期差，價格將持續修正，復蘇恐等到明年」，意味南亞科證實先前外資與研調機構看法，也讓南亞科成為全球第一家證實下半年市況低迷的DRAM大廠。

李培瑛指出，通膨影響所有產業，就各應用來看，當前客戶庫存調整持續進行，目前受影響比較嚴重的是PC、手機與消費性產品，隨着通膨蔓延，目前看來需求最強的雲端服務器應用遲早也會受影響，不排除可能面臨調整。總體來看，下半年的挑戰將比上半年稍高，第3季DRAM價格將持續修正，第4季也恐會延續。

03

傳恩智浦關閉中國區APS研發部門

據業內爆料稱，恩智浦已經關閉中國區APS（Advanced Power System 先進電源系統）研發部門。

傳聞稱，此次變動影響僅限工作地點在中國大陸地區的研發人員， 該產線其他地區的研發人員將保留在原部門， 原中國大陸區承擔的研發任務後續也將轉移到中國台灣地區和國外。

該傳聞還提到，恩智浦此次人事變動中，研發人員安置方案為與公司內其他部門進行雙向匹配，雙向選擇匹配成功的員工進行內部調動，除此之外無裁員賠償方案。

資料顯示，恩智浦APS研發部門專註於消費電子類Power Delivery產品在中國的研發，擁有模擬電路設計工程師，模擬版圖工程師, 數字電路設計工程師,數字電路驗證工程師。儘管中國半導體人力市場較為活躍，但該團隊過去一年內人員穩定，研發業績斐然，研發能力頗受美國團隊的認可。

04

東芝股價大漲，傳基金公司擬溢價近3成併購

據路透社報導，傳出至少有一家基金公司打算以每股最高 7000 日元併購東芝，較周三收盤價 5501 日元溢價逾 27%，東芝股價周四 (23 日) 上午一度大漲 6.5%，

路透報導，先前東芝為了公司經營重建而廣徵建議，在今年 5 月底截止收件時，共收到 10 份提案書，其中有 8 件都和私有化有關。

SBI 證券的高級分析師和泉美治表示，每股 7000 日元的價格已超過預期。

東芝即將在 6 月 28 日召開股東大會，其中包含把維權投資人的兩名高層列入董事候選名單，不過東芝外部董事綿引萬里子 (前名古屋高等法院長官，現擔任律師) 表示反對。和泉美治認為，若綿引萬里子的意見若未獲多數贊成，東芝就可能加速私有化。

05

長江存儲推出PCIe 4.0固態硬盤PC300，靈活滿足全場景應用需求

6月23日，長江存儲推出新一代商用固態硬盤——PC300系列產品。該產品是長江存儲針對新一代全場景應用需求開發的PCIe 4.0 NVMe M.2固態硬盤，可靈活適配筆記本、超薄本、二合一電腦、台式電腦、IoT/嵌入式設備及服務器等終端，滿足全場景存儲應用需求。

Forward Insights數據顯示：消費級PCIe 4.0 固態硬盤市場正處於爆髮式增長階段，出貨量年複合增長率高達86% ；預計到2024年，其市場份額將增長至94%。

PC300系列固態硬盤產品採用長江存儲第三代三維閃存芯片，支持PCIe 4.0、NVMe 1.4等接口協議，其順序讀取速度最高可達3,900 MB/s，最高工作功耗低於5W，採用無緩存設計，支持HMB。同時，PC300提供256GB、512GB、1TB三種容量和M.2 22 x 42mm和22 x 80mm兩種尺寸，能夠靈活滿足商用辦公、娛樂等需求。

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南亞科含EUV晶圓新廠動工，采自主10nm級技術生產DRAM

6月23日，南亞科在台灣地區新北市泰山南林科技園區舉行新廠動土典禮，南亞科規劃投資3,000億元（新台幣，下同）興建一座雙層無塵室新廠。

新廠基地將興建EUV設備獨立廠房，以應對未來先進制程導入需求。採用南亞科自主研發的10nm級（1A, 1B, 1C, 1D）製程技術生產DRAM芯片，並將運用「AI智慧製造」技術提升製程效率。新廠規劃分三階段進行擴建，完成後月產能可達到4.5萬片晶圓，預計2025年開始裝機投片量產，屆時，南亞科整體晶粒位元產出將增長高達120%，每年預估可創造超過700億元產值。

南亞科董事長吳嘉昭表示，為了掌握DRAM關鍵技術，南亞科五年來研發經費增加3倍，研發人力也擴充至千人規模，全球累計專利數超過5,000件。10奈米級第一代1A技術及產品預計於今年下半年量產，第二代1B技術及產品已進入試產，並已展開第三代1C技術以及應用於1D的EUV 技術研發工作。

南亞科總經理李培瑛表示，在研發方面，南亞科積極開發低碳產品包括下世代存儲器DDR5、LPDDR5，可以為客戶節省16%到35%的功耗。